型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: 电子元器件分类描述:75155-24￥5.872525-49￥5.437550-99￥5.1330100-499￥5.0025500-2499￥4.91552500-4999￥4.80685000-9999￥4.7633≥10000￥4.6980 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF16N25C, 15.6 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装697910-99￥11.0040100-499￥10.4538500-999￥10.08701000-1999￥10.06872000-4999￥9.99535000-7499￥9.90367500-9999￥9.8302≥10000￥9.7936 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。5070 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。81695-24￥5.346025-49￥4.950050-99￥4.6728100-499￥4.5540500-2499￥4.47482500-4999￥4.37585000-9999￥4.3362≥10000￥4.2768 -
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品类: 电子元器件分类描述: FQPF10N60C 管装54565-24￥1.836025-49￥1.700050-99￥1.6048100-499￥1.5640500-2499￥1.53682500-4999￥1.50285000-9999￥1.4892≥10000￥1.4688 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP036N10A, 214 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装39895-49￥28.126850-199￥26.9248200-499￥26.2517500-999￥26.08341000-2499￥25.91512500-4999￥25.72285000-7499￥25.6026≥7500￥25.4824 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。41575-24￥5.859025-49￥5.425050-99￥5.1212100-499￥4.9910500-2499￥4.90422500-4999￥4.79575000-9999￥4.7523≥10000￥4.6872 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。919310-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。48675-49￥13.759250-199￥13.1712200-499￥12.8419500-999￥12.75961000-2499￥12.67732500-4999￥12.58325000-7499￥12.5244≥7500￥12.4656 -
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品类: 电子元器件分类描述: N沟道 600V 11A77525-24￥4.711525-49￥4.362550-99￥4.1182100-499￥4.0135500-2499￥3.94372500-4999￥3.85655000-9999￥3.8216≥10000￥3.7692 -
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品类: SCR晶闸管描述: STMicroelectronics STMicroelectronics 的广泛通用闸流晶体管，额定阻隔电压范围为 400 至 1200V，通态电流额定值高达 50A。 ### 闸流晶体管 - STMicroelectronics STMicroelectronics 生产了很多晶体管，被称为 SCR 或硅控制整流器，适用于电源切换和控制应用。 专业类型包括敏感门闸流晶体管和设备设计用于电容放电的应用。665810-99￥7.1760100-499￥6.8172500-999￥6.57801000-1999￥6.56602000-4999￥6.51825000-7499￥6.45847500-9999￥6.4106≥10000￥6.3866 -
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品类: TRIACs描述: 16A 到 20A，STMicroelectronics ### 三端双向可控硅开关元件，STMicroelectronics90685-24￥6.156025-49￥5.700050-99￥5.3808100-499￥5.2440500-2499￥5.15282500-4999￥5.03885000-9999￥4.9932≥10000￥4.9248 -
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品类: TRIACs描述: STMICROELECTRONICS T2035H-6I 三端双向可控硅, 600 V, 1 W, 1 V, 200 A23385-24￥4.752025-49￥4.400050-99￥4.1536100-499￥4.0480500-2499￥3.97762500-4999￥3.88965000-9999￥3.8544≥10000￥3.8016 -
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品类: TRIACs描述: 三端双向可控硅开关元件，16A 到 20A，STMicroelectronics ### 三端双向可控硅开关元件，STMicroelectronics64745-24￥2.862025-49￥2.650050-99￥2.5016100-499￥2.4380500-2499￥2.39562500-4999￥2.34265000-9999￥2.3214≥10000￥2.2896 -
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品类: 电子元器件分类描述: MOS(场效应管)/SVF12N65F 管装61075-24￥1.917025-49￥1.775050-99￥1.6756100-499￥1.6330500-2499￥1.60462500-4999￥1.56915000-9999￥1.5549≥10000￥1.5336 -
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品类: MOS管描述: N-沟道 800 V 4.5 A 1.6 Ohm MDmesh™ K5 功率 MosFet -TO-220-358275-24￥6.439525-49￥5.962550-99￥5.6286100-499￥5.4855500-2499￥5.39012500-4999￥5.27095000-9999￥5.2232≥10000￥5.1516 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP80NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V18475-49￥18.837050-199￥18.0320200-499￥17.5812500-999￥17.46851000-2499￥17.35582500-4999￥17.22705000-7499￥17.1465≥7500￥17.0660 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP9NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V824310-99￥8.0160100-499￥7.6152500-999￥7.34801000-1999￥7.33462000-4999￥7.28125000-7499￥7.21447500-9999￥7.1610≥10000￥7.1342 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics291910-99￥9.8400100-499￥9.3480500-999￥9.02001000-1999￥9.00362000-4999￥8.93805000-7499￥8.85607500-9999￥8.7904≥10000￥8.7576 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP9NK90Z. 场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 8A, TO-220264510-99￥7.7400100-499￥7.3530500-999￥7.09501000-1999￥7.08212000-4999￥7.03055000-7499￥6.96607500-9999￥6.9144≥10000￥6.8886 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP80NF12 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V508710-99￥11.1720100-499￥10.6134500-999￥10.24101000-1999￥10.22242000-4999￥10.14795000-7499￥10.05487500-9999￥9.9803≥10000￥9.9431 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP65NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V97235-24￥2.997025-49￥2.775050-99￥2.6196100-499￥2.5530500-2499￥2.50862500-4999￥2.45315000-9999￥2.4309≥10000￥2.3976 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V92645-24￥2.983525-49￥2.762550-99￥2.6078100-499￥2.5415500-2499￥2.49732500-4999￥2.44215000-9999￥2.4200≥10000￥2.3868 -
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品类: MOS管描述: N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics88165-24￥3.469525-49￥3.212550-99￥3.0326100-499￥2.9555500-2499￥2.90412500-4999￥2.83995000-9999￥2.8142≥10000￥2.7756 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STF9NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 900 V, 1.1 ohm, 10 V, 3.75 V42485-24￥6.318025-49￥5.850050-99￥5.5224100-499￥5.3820500-2499￥5.28842500-4999￥5.17145000-9999￥5.1246≥10000￥5.0544
